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口頭

Sputter etching effects on photoluminescence of $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ grown on Si by ion beam sputter deposition method

Zhuravlev, A. V.; 山本 博之; 志村 憲一郎*; 山口 憲司; 社本 真一; 北條 喜一; 寺井 隆幸*

no journal, , 

半導体鉄シリサイドは受発光素子としての応用が期待されているが、その発光が基板Siの欠陥によるものとほぼ同じ0.8eV付近であるため発光起源の特定が必要である。本研究ではSi基板表面処理のためのイオン照射エネルギーを変化させ、鉄シリサイド成膜後に生じる発光特性の差異について検討した。成膜・アニール後の$$beta$$-FeSi$$_{2}$$/Si、及びこれと同様の基板表面処理を行ったSiについて比較した結果、5keV, Ne$$^{+}$$で表面処理を行った場合はいずれの試料についても得られた発光スペクトルはほぼ同様であった。一方、2keVの場合には$$beta$$-FeSi$$_{2}$$/Si試料から得られる発光強度の方が高く、$$beta$$-FeSi$$_{2}$$からの発光の寄与が示唆された。

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